1) 第一代：他就是IGBT的雛形，最簡單的原理結構圖那種，所以他必須要提高N-drift來提高耐壓，所以導通電阻和關斷功耗都比較高，所以沒有普及使用。
2) 第二代：PT-IGBT，由於耗盡層不能穿透N+緩衝層，所以基區電場加強呈梯形分布，所以可以減小晶片厚度從而減小功耗。這主要是西門子公司1990~1995年的產品BSM150GB120DN1("DN1"就是第一代的意思)。它主要在600V上有優勢(類似GTR特性)，到1200V的時候遇到外延厚度大成本高、且可靠性低的問題(摻雜濃度以及厚度的均勻性差)。
3)第三代：NPT-IGBT，不再採用外延技術，而是採用離子注入的技術來生成P+集電極(透明集電極技術)，可以精準的控制結深而控制發射效率儘可能低，增快載流子抽取速度來降低關斷損耗，可以保持基區原有的載流子壽命而不會影響穩態功耗，同時具有正溫度係數特點，所以技術比較成熟在穩態損耗和關斷損耗間取得了很好的折中，所以被廣泛採用。代表公司依然是西門子公司率先採用FZ(區熔法)代替外延的批量產品，代表產品BSM200GB120DN2，VCE>1200V, Vce(sat)=2.1V。
4)第四代：Trench-IGBT，最大的改進是採用Trench結構，是的溝道從表面跑到了垂直面上，所以基區的PIN效應增強，柵極附近載流子濃度增大，從而提高了電導調製效應減小了導通電阻，同時由於溝道不在表面，所以消除了JFET效應，所以柵極密度增加不受限制，而且在第四代IGBT繼續沿用了第三代的集電極P+implant技術同時加入了第二代的PT技術作為場終止層，有效特高耐壓能力等。需要使用雙注入技術，難度較大。這個時候是英飛凌的時代 了，Infineon的減薄技術世界第一，它的厚度在1200V的時候可以降低到120um~140um(NPT-IGBT需要200um)，甚至在600V可以降低到70um。
5)第五代：FS-IGBT和第六代的FS-Trench，第五、第六代產品是在IGBT經歷了上述四次技術改進實踐後對各種技術措施的重新組合。第五代IGBT是第四代產品「透明集電區技術」與「電場中止技術」的組合。第六代產品是在第五代基礎上改進了溝槽柵結構，並以新的面貌出現。
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